CCZ เป็นเทคโนโลยีผลึกเดี่ยวประสิทธิภาพสูงรุ่นใหม่ที่ใช้เตาหลอมในการสร้างผลึก Czochralski แบบพิเศษ เพื่อดึงผลึกออกมาขณะป้อนและหลอมละลายโดยสามารถดึงผลึกได้ 8-10 ครั้งภายในรอบอายุการใช้งานของเตาหลอม ปัจจุบัน เทคโนโลยี Czochralski ที่อัดประจุ RCZ ใหม่ถูกนำไปใช้มากที่สุดทั่วทั้งภาคอุตสาหกรรม ทั้งนี้ เมื่อเทียบกับ RCZ แล้ว การดึงผลึกที่ได้จาก CCZ ให้คุณภาพที่ดีกว่า มีความสามารถในการต้านกระแสไฟฟ้าที่สม่ำเสมอกว่า และมีช่วงการกระจายที่แคบกว่า ซึ่งเหมาะกับแบตเตอรี่ P-type PERC และ N-type มากกว่า

ในช่วงปีที่ผ่านมา GCL-Poly ได้ปรับปรุงคุณภาพของผลิตภัณฑ์และความคุ้มค่าของ CCZ ผ่านการผลิตอุปกรณ์และซัพพลายเชนในประเทศและปรับปรุงกระบวนการอย่างเต็มประสิทธิภาพ ในช่วงการทดสอบการใช้งานของระบบใหม่นี้ GCL-Poly จะกลายเป็นบริษัทเดียวในโลกที่พัฒนาเทคโนโลยี CCZ ให้เกิดขึ้นจริงได้ในอุตสาหกรรม และจะนำพาอุตสาหกรรมแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนผลึกเดี่ยวไปสู่อีกระดับของเทคโนโลยี

GCL-Poly ประกาศเมื่อเดือนเมษายน 2560 ว่า บริษัทได้ควบรวมเทคโนโลยี CCZ รุ่นที่ 5 ของ SunEdison เสร็จสิ้น ซึ่งเป็นเทคโนโลยีฟลูดิไอซ์เบดไซเลน FBR และสินทรัพย์อื่นๆที่เกี่ยวข้อง “ซิลิคอนแบบเม็ดที่มีคุณภาพสูงของ FBR คือวัสดุที่ดีที่สุดสำหรับ CCZ เทคโนโลยีทั้งสองนี้สามารถเติมเต็มและผสานประสิทธิภาพแบบ 1+1 แต่ให้ผลมากกว่า 2” นายวาน ยือเปง ซีอีโอของ GCL-Poly กล่าว ขอบเขตด้านเทคโนโลยีขั้นสูงและเทคโนโลยีแบบเพิ่มมูลค่าสูงนี้ จะยกระดับขีดความสามารถหลักของบริษัทได้อย่างดีเยี่ยม